物質受光照射時，通常發生兩種不同（tóng）的反射現象，即鏡（jìng）麵發射和漫反射。對於粒徑較小的納米粉體，主要發（fā）生（shēng）的是漫反射。漫反射滿足Kubelka-Munk方程式：

式中，K為吸收係數，與吸收光譜中的吸收係（xì）數的意義相同；S為散射係數； R_∞為無限厚（hòu）樣品的反射係數（shù）R的（de）極限值（zhí）。

事實上，反射係（xì）數R通常（cháng）采用與（yǔ）已知的高反射係數（R_∞≈1）標準物質（zhì）（如，BaSO₄和MgO）比較來測量。如果同一係列樣品的散射係數S基（jī）本（běn）相同，則F(R)與吸收係數成正（zhèng）比；因而可用F(R)作為縱坐標，表（biǎo）示該化合物的吸收帶。又因為F(R)是利用積分球的方法測量樣品的反射係數得到的，所（suǒ）以F(R)又（yòu）稱（chēng）為漫反射吸收係數。

利用紫外－可見漫反射光譜法（UV-vis DRS）可以方便的獲得粉末或薄膜半（bàn）導體材料的能帶間隙。紫外－可見光譜的積分球附件原理如圖12-1所示，積分球是一個中（zhōng）空的完整球殼，其內壁塗（tú）白色（sè）BaSO₄漫反射層（céng），且（qiě）球內壁各點漫射均勻。入射光照射在樣品表麵（miàn），反射光反射到積分球壁上，光線經積分球（qiú）內壁（bì）反射至積分球（qiú）中心的檢測器，可以獲得（dé）反射後的光強，從而可以計（jì）算（suàn）獲得樣品在不同波長的吸收。

根據材料（liào）的紫外－可見漫反射光譜可以計算獲得半導（dǎo）體材料的吸收帶邊或禁帶寬度。具體求法是先對紫外－可見（jiàn）漫反射光譜圖求導，找到一階導數最（zuì）低點，通過這個點作切線（xiàn），切線與吸（xī）光度為零時所對應的橫（héng）軸交點的波長即為材料的吸收帶邊，同時也就得到了半導體的禁帶寬度。也可以根（gēn）據吸收（shōu）譜中的吸收係數（shù），作出以光子能量hν為橫軸，（αhν）²為縱軸的曲線，如圖12-2所示。然後擬合光吸收邊所得直線在橫軸上的截距即為帶隙能量Eg。其中hν=h·c/λ，h=6.626×10^-34  J·s為普朗克常數，c=3×10⁸ m/s為光速，λ為（wéi）相對應的波長，最後把能量轉化為電子伏特為單位（）。